卖单有大单压着不叫涨停为什么（散户能把股票

1. 当股票涨跌速度加快时，常有大量订单压制股价的波动幅度。主力或庄家通过大单压盘操作，可能是为了在低位吸纳、降低自身购入成本。接近涨停时，主力可能会故意压制股价不让其涨停，这是为了掌控股价走势，达到自己的利益最大化。对于普通投资者来说，理解这些操作背后的原因需要深入了解股市的运作机制和主力庄家的行为模式。

2. 大单压盘是股市中常见的现象。主力利用大量资金压制股价，让股价保持在较低水平，以便在低位买入。这种情况可能是为了震仓，即让持股者因为股价走势难看而恐慌卖出，从而达到主力建仓的目的。也可能是为了吸引投资者注意，在第二日高开并大涨，进入升幅榜前列。还有可能是操盘手将股票低价卖给自己或关联人。投资者在面对大单压盘的情况时，需要冷静分析，把握好自己的投资策略。

3. 当股票净流入大、换手率高时，出现大单压制股价不让其涨停的情况，可能是由于庄家或主力在调整策略。如果股票处于底部阶段，大单压盘可能是为了降低购入成本；如果处于底部以上，可能是庄家有盈利在出货。投资者在面对这种情况时，需要仔细分析股票所处的位置以及庄家的可能操作策略。

4. 河钢买盘和卖盘都有大单压制的情况，并不一定是散户行为。主力或庄家为了操控股价，可能会利用大单进行压盘或拉抬。股票买盘和卖盘都挂大单，股价慢慢拉升的情况可能是庄家在这个区间内吸筹，散户资金进入推动了股价的拉升。

5. “卖盘出现大单，买盘无大单，往往要升，这是因为主力做好对倒准备。”对倒准备指的是主力在准备将手中的股票进行买卖交易时，通过自己同时挂出买卖大单来操控市场，使得股价按照自己的预期进行波动。这种情况下，主力通过大单在卖盘压制股价，同时在买盘不挂大单或者少量挂单，给人一种市场卖压很重的假象，从而引发市场恐慌情绪，达到自己的目的。这种情况需要投资者保持警惕，理性分析市场情况，避免被主力误导。

以上内容仅供参考，股市有风险，投资需谨慎。建议投资者在投资前进行充分的研究和分析，理性对待股市波动。随着Intel将L2高速缓存整合至CPU（从Medocino时代开始），SRAM的需求开始发生了变化。SRAM，曾经是最大应用需求来源的重心，逐渐被其他需求所超越。幸运的是，随着移动电话的发展趋势从模拟转向数字，我们看到了SRAM的另一个成长契机。移动电话的快速发展对于SRAM的省电优势提出了更高的需求。网络服务器和路由器等领域的需求也为SRAM市场注入了新的活力，促使市场持续成长。而DRAM，作为一种动态随机访问存储器，由于其结构简单、集成度高、功耗低以及生产成本低等优点，成为了制造大容量存储器的理想选择。接下来我们将详细介绍DRAM内存的特点和分类。

随着技术的演进，DRAM内存形态也日趋多样。常见的DRAM内存多为72线，而EDO-RAM内存则有72线和168线两种规格。至于SDRAM内存，则多数采用168线的DIMM形态。进入新的世纪，内存的发展为计算机硬件带来了革命性的变化。随着微处理器（CPU）时钟频率的提升，内存也必须跟上处理器的速度。DDR SDRAM和Rambus内存两种新标准应运而生，它们之间的竞争成为了PC内存市场关注的焦点。

DDR SDRAM代表了一种内存演化的方向，而Rambus则象征着计算机设计上的重大突破。从更宏观的角度看，DDR SDRAM是一个开放的标准，而Rambus则是基于专利的技术。两者之间的竞争结果将对计算机制造业产生深远影响。Rambus内存的工作频率有了显著的提升，但这涉及到从芯片组、DRAM制造到封装、测试乃至PCB及模组设计的全面变革。

那么，未来高速DRAM结构将如何发展？我们见证了Intel的820芯片组力图让RDRAM成为主流的努力。PC133 SDRAM可以说是PC100 SDRAM的进阶版，两者在制造、封装等方面的规范基本一致。但PC133 SDRAM通过筛选程序选出了速度可达133MHz的颗粒，配合相应的芯片组和技术，能大幅提升DRAM带宽，从而提高系统性能。

说到DDR SDRAM，也就是所谓的SDRAMⅡ，其通过时钟上升和下降的边缘传输资料，使得实际带宽增加两倍，大大提高了性能与成本的平衡。在测试中，PC266 DDR SRAM的性能已经显示出对Rambus的强劲抗衡能力。

而Rambus DRAM的设计与传统DRAM有很大不同。它的微控制器与一般的内存控制器有所区别，因此芯片组需要重新设计。而且，它的数据通道接口也与一般内存不同。Rambus以高时钟频率和特殊的传输模式实现了高达1.6GB／sec的尖峰带宽。

在数据带宽方面，传统PC100的数据传输率在时钟频率为100MHz时可达800MB／sec。而先进的DRAM颗粒，通过筛选可以达到更高的时钟频率，进而提升数据传输率。对于DDR SDRAM来说，其在时钟的上升和下降沿都能传输数据，所以在相同的时钟频率下，其数据传输量可以大幅提高。

在传输模式上，传统SDRAM采用并行数据传输方式，而Rambus则采用串行传输方式。这种串行传输方式对数据带宽有所降低，但提高了工作时钟频率。这也带来了一个问题，即如果其中一个模组损坏，整个系统可能无法正常工作。采用Rambus内存的主机板在扩充插槽的使用上有其特殊的要求。

在模组及PCB的设计上，由于Rambus的高工作频率，其电路设计、线路布局、颗粒封装等都与传统SDRAM有所不同。计算机内存的演变代表了科技的进步，而各种内存的特性和优势也使得消费者在选择时可以根据需求进行考量。以模组设计而言，RDRAM所构成的记忆模组被称为RIMM（Rambus In Memory Module）。目前，RIMM模组可采用4、6、8、12和16颗等不同数目的RDRAM颗粒来构建。尽管引脚数增至184个，但其整体长度与原有的DIMM相当。在设计上，Rambus的每个传输信道所能承载的芯片颗粒数量有限（最多32颗），这导致RDRAM内存模组的容量受到限制。

如果已安装了一颗含有16颗RDARM颗粒的RIMM模组，想要扩充内存，最多只能再安装同样数量的模组。由于RDARM在高频率下工作时会产生高温，RIMM模组设计必须包含散热片，这增加了其成本。

在DRAM封装技术方面，从最早的DIP、SOJ到TSOP，封装形式在不断进步。目前主流SDRAM模组中，除胜创科技的TinyBGA和樵风科技的BLP封装外，大多数仍采用TSOP封装技术。随着DDR和RDRAM的推出，TSOP封装技术已难以满足DRAM设计的高要求。

Intel力推的RDRAM采用了新一代的μBGA封装形式。未来，其他高速DRAM的封装可能会采取相同的BGA封装方式或不同的创新形式。尽管RDRAM在时钟频率上取得了突破，提高了系统性能，但在实际应用中，其与现有主流SDRAM存在显著差异。它不仅不兼容现有系统芯片组，而且使得市场变得仅由Intel一家主导。

在DRAM模组设计方面，RDRAM使用了一代的BGA封装方式、严格的标准电路板设计（8层板）以及庞大的测试设备投资。这使得大多数DRAM及模组厂商不敢轻易跟进。Rambus作为专利标准，厂商想要生产RDRAM需要取得Rambus公司的认证并支付高额专利费用，加重了成本负担。

由于RIMM模组的颗粒数量限制以及技术、成本和市场等多方面的因素，Rambus的应用仅限于入门级服务器和高级PC。对于PC133而言，一旦整合DDR技术后，其数据带宽将远超Rambus。而且台湾在威盛与AMD等联盟的支持下，Intel面临的市场挑战愈发严峻。在低价PC和网络PC市场，Rambus的市场份额将十分有限。

尽管Intel采取了多种策略来应对挑战，但像Rambus这种具有突破性规格的产品在先天上存在诸多难以克服的问题。Intel或许可以通过更改主机板的RIMM插槽方式或提出过渡性方案来解决技术难题。然而一旦涉及规模量产和成本控制问题便非Intel一家所能掌控。随着网络趋势下的计算机应用越来越趋于低价化市场需求是否接纳Rambus仍有待考验。

在供给方面考虑NEC的VCM SDRAM规格以及Samsung等DRAM大厂对Rambus的保守态度再加上相关封装和测试设备的投资不足预计年底前Rambus内存模组将缺乏与PC133甚至DDR的价格竞争力。从长期来看Rambus架构或许能成为主流但不会再主导市场绝对主流而SDRAM架构在低成本和广泛应用领域的优势将会非常突出。

消息显示可望成为下一代内存主力的Rambus DRAM因芯片组延迟推出而气势受挫。与此同时全球多家半导体和电脑大厂组成的AMII阵营决定积极促进PC1600和PC2100 DDR SDRAM规格的标准化这将使DDR SDRAM与Rambus DRAM的内存主导权之争迈入新的阶段。全球第二大微处理器制造商AMD决定其Athlon处理器采用PC266规格的DDR SDRAM并在年中前开发支持DDR SDRAM的芯片组这给DDR SDRAM阵营带来了极大的鼓舞。全球内存业者极有可能将未来投资重心从Rambus DRAM转向DDR SDRAM。今年DDR SDRAM的发展势头可谓风头正劲，大有超越RAMBUS之势。尽管DDR SDRAM的生产成本相较于SDRAM而言，仅高出约30%，但从长远来看，其在成本方面的优势不容忽视。在未来内存产品的发展中，除了DDR和RAMBUS之外，还有其他几种备受瞩目的内存技术，其中SLDRAM（SyncLink DRAM，同步链接内存）无疑是其中的佼佼者。

SLDRAM作为SDRAM架构的增强和扩展版本，以其卓越的性能和创新的设计赢得了业界的广泛关注。它将传统的4体（Bank）结构扩展至16体，这一创新设计极大地提升了内存的性能和效率。SLDRAM还引入了新的接口和控制逻辑电路，进一步强化了其性能表现。

在内存技术领域，SLDRAM的速度表现令人瞩目，它或许是在速度上最接近RDRAM的竞争者。值得一提的是，SLDRAM与SDRAM一样，能够利用每个脉冲沿传输数据，这种特性使得数据的读写速度更快，响应更灵敏。

对于想要了解内存技术动态的朋友，不妨去太平洋电脑网看看。这个网站提供了丰富的行业资讯和技术解读，能够帮助您深入了解内存技术的发展。无论是DDR SDRAM、RAMBUS还是SLDRAM，太平洋电脑网都会为您提供的行情和深入的分析。通过访问该网站，您可以轻松获取到关于内存技术发展的第一手资料，从而更好地了解这个行业的动态。

随着科技的不断发展，内存技术也在不断创新和进步。DDR SDRAM、RAMBUS以及SLDRAM等内存技术都在不断取得突破和发展。作为关注科技发展的您，不妨多关注这些新兴技术，以了解内存领域的动态和发展趋势。