揭秘第三代半导体：哪些企业有望弯道超车

关于第三代半导体产业的崛起与国内外企业的积极布局

近日，传闻中国正计划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划，引发市场热议。第三代半导体材料以其独特的优势，如宽禁带、高击穿电场、高热导率等，成为新一代通信、电动车等新兴产业的热门选择。

第三代半导体材料的崛起，标志着半导体产业进入了一个新时代。与第一、二代半导体材料相比，第三代材料如碳化硅和氮化镓，具有更广泛的应用领域和更大的市场潜力。华为消费者业务CEO余承东表示，我们期待在这个新时代实现领先，实现多方位突破，包括物理学材料学的基础研究和精密制造。

第三代半导体材料的独特性使其特别适合制造高温、高频、抗辐射及大功率器件。尤其是碳化硅，其禁带宽度是硅的3倍，导热率、击穿电压及电子饱和漂移速率均远超硅材料。据Omdia报告预测，到2029年，全球碳化硅和氮化镓功率半导体的销售收入有望超过50亿美元。

这一市场的巨大潜力已引起国内外企业的争相布局。美国、欧盟等国家纷纷建立研发中心及联盟，致力于研发第三代功率半导体。全球功率半导体巨头如英飞凌、ST等已重点布局碳化硅和氮化镓领域。国内企业如华为、中国电科等也在积极投资第三代半导体项目，全国不断有投资项目落地。

随着物联网、大数据和人工智能等新计算技术的发展，第三代半导体开始逐渐受到市场的重视。其产业链已日趋完善，从材料、器件、模块到应用环节，都展现出巨大的发展潜力。

预估今年第三代半导体材料就会起量，这不仅得益于其材料优势，更得益于5G和新能源汽车等应用的拉动。可以预见，第三代半导体产业将迎来一个黄金发展期，引领全球半导体产业进入一个新的里程碑。这是一场全球范围内的竞赛，让我们期待这场竞赛带来的创新与突破。国内企业的成长：第三代半导体技术的“弯道超车”之路

随着科技的不断进步，国内企业在第三代半导体领域的研究已经取得了引人注目的成果。在这一赛道上，国内厂商的研究起步时间并未被国外厂商拉开差距，甚至有可能实现“弯道超车”。

以氮化镓为例，这一第三代半导体材料的杰出代表，已经逐步切入消费电子领域。自小米发布氮化镓充电器以来，多个手机厂商纷纷跟进，相关概念股表现强劲。今年，氮化镓指数整体上涨幅度超过40%，显示出市场的巨大潜力。氮化镓的高热导率、耐高温特性以及小体积等优点，使其在手机充电领域大放异彩。据小米供应链厂商透露，仅在功率半导体市场，氮化镓设备器的出货量就实现了惊人的增长。

在氮化镓产业中，虽然海外企业仍占主导地位，但国内企业如苏州纳维、东莞中镓等开始在衬底外延和设计制造领域崭露头角。与此海特高新在民品业务上取得重大技术突破，并在电力电子领域的硅基氮化镓功率器件芯片实现小批量量产。三安光电则是化合物半导体国产替代的龙头企业之一。

而在碳化硅领域，尽管全球市场仍由日、美、欧主导，但方正证券指出，碳化硅的研究起步时间并不晚于国外同行。国内企业主要集中在生产4英寸和6英寸的碳化硅衬底上，已有样品出货。随着汽车电动化趋势的加速，碳化硅的市场前景广阔。中国作为全球最大的新能源汽车市场，为碳化硅的应用提供了巨大的空间。电动汽车产业的长里程、短充电时间和高电池容量需求使得SiC MOSFET元件成为大势所趋。预计在未来几年内，碳化硅将显著提高逆变器效率，降低电池成本。

在这条新兴的赛道上，我们看到了国内企业的努力与拼搏。他们在不断创新和探索中前进，为中国在全球半导体领域的崛起贡献力量。这场技术的“弯道超车”，让我们看到了无限可能和希望。