中国5G芯片关键材料获突破 受益股有哪些？

重大突破：国产5G通信芯片用新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功

近日，从西安电子科技大学芜湖研究院传来喜讯，国产化5G通信芯片使用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，这一重大突破标志着我国在全球通信领域迈出了关键一步。作为芜湖大院大所合作的重点项目，这一成果打破了国外的技术垄断，为国内各大芯片企业制造5G通信芯片提供了强有力的材料支持。

在全球大规模建设5G网络的时代背景下，网络传输速度和容量的要求日益提高。大数据传输、云计算、AI技术以及物联网的迅猛发展，使得大功率芯片的市场需求急剧增长。传统的硅材料已接近其负载极限，无法满足更高性能的需求。

碳化硅，作为一种理想的制造高温、高频、大功率半导体器件的衬底材料，是发展第三代半导体产业的关键。其禁带宽度是主流硅的3倍，导热性能更是远超蓝宝石10倍以上。使用碳化硅材料，不仅能在大功率工作状态下降低自身功耗，更能提高系统其他部件的功效，节能效果高达90%。碳化硅在业内被誉为“得之者得天下”。

在这一领域，国内已有领先企业崭露头角。天富能源旗下的天科合达蓝光半导体有限公司，是国内首家实现专利规模化生产碳化硅的企业，其产品完全替代进口，与全球领先的碳化硅晶体生产企业Cree相比，成本竞争优势显著。

天通股份也在第三代化合物半导体碳化硅衬底材料领域进行了深入布局，主要面向电力电子领域。这些国内企业的杰出表现，无疑为我国在全球半导体领域的竞争增添了重要。

此次国产化5G通信芯片用碳化硅衬底氮化镓材料的试制成功，是我国在半导体领域的一次重大突破。这不仅意味着国内芯片企业未来有望使用国产材料生产5G通信芯片，更意味着我国在全球半导体领域的竞争力将得到进一步提升。